据工商时报报道,8吋晶圆代工厂世界先进公告2021年12月合并营收46.04亿元、第四季合并营收127.38亿元,两者均创下新高纪录,并超越业绩展望高标。
世界先进2022年营运乐观,上半年产能全线满载,产能利用率持续超过100%,订单能见度已看到下半年。
世界先进12月合并营收月增5.4%,年成长53.5%,创下单月营收历史新高。第四季合并营收季增7.2%达127.38亿元,年成长46.1%,亦改写季度营收历史新高。2021年合并营收达439.51亿元,年成长32.7%,续创年度营收新高纪录。
世界先进先前预估,2021年第四季营收介于123~127亿元,毛利率将介于45.5~47.5%,营业利益率介于34~36%,实际上第四季营收已超越业绩展望高标。世界先进认为客户对晶圆代工需求续强,到2022年上半年都将维持相当高的产能利用率。
法人表示,世界先进在手订单能见度约达二个季度,等于已看到2022年下半年,而上半年接单全满,预期将维持利用率逾100%的满载荣景。
世界先进已启动晶圆三厂2.4万片月产能扩产计画,约8,000片月产能在2021年第四季开出,1.6万片月产能会在2022年第二季开出。世界先进陆续与客户签订长约,2022年及2023年扩增的新产能,都已获客户订单量保证且已预付订金,加上2022年仍有涨价动能,上半年新开出产能平均价格较高,法人乐观看待世界先进第一季营收将创下新高,并逐季成长到下半年。
世界先进董事长方略日前以「蒸蒸日上」形容半导体产业景气,并表示产能仍然供不应求,2022年上半年客户需求强劲没有弱化,其中车用芯片缺货且需求强劲,世界先进看好相关业绩2022年成长幅度会高于其它产品线。
世界先进已针对现有8吋厂进行产能扩建,新购入的晶圆五厂在年初完成交割后,已开始建置无尘室,完工并开始投产后每月可再增加4万片产能。
成熟制程面临激烈竞争
世界先进在资本支出提升后,虽市场认为成熟制程近期市场竞争加剧,获利将会受到影响,但法人机构分析,随IC的新应用持续增加,晶圆代工产能供不应求现象在短期难以解决。
法人机构表示,虽终端市场传出些许杂音,不过IC的新应用持续增加,PMIC等产品要转到12吋仍有成本上的考量,加上晶圆代工厂的产能也还没有明显放大,即使全球半导体厂均拉高资本支出扩充产能,但设备交期大幅拉长6~9个月以上,使2021~2022年的产能扩增幅度有限,芯片缺货问题恐延续到2023~2024年,预估2022年全球晶圆代工8吋年均产能将新增约5%,12吋将年增约15%。
所以目前即使有部分产业的需求下滑,其他产业的需求订单就会立刻补上,再加上晶圆厂扩产都先和客户谈好一定的产能,才购买设备,因此客户会负担部份设备的费用,这使晶圆代工的报价可以保持继续向上的动力,晶圆代工厂获利被影响亦有限;由于晶圆代工产能短缺问题会延续到2023年,超过50%晶圆代工的客户都选择签订2~3年长约,其中,2022晶圆代工厂价格全面上涨已成定局,若没有签订长约价格涨幅还会更高。
分析师并表示,全球8吋厂需求佳,至2022年底前都供不应求。而世界先进去年4月向友达购入L3B的厂已在今年初完成交割,并成为世界先进Fab5,厂房设施将可建置每月40K产能,营运动能持续向上,因此,看好营运后市。
世界先进凭什么前进氮化镓元件市场?
根据据国际调研机构顾能(Gartner)统计,2020年全球晶圆代工厂排名中,由台积电转投资的8吋晶圆代工厂世界先进,以年营收331.31亿元一举拿下第8名,比2019年前进1名。
世界先进以特殊积体电路制造(SpecialtyIC Foundry)技术见长,拥有4座8吋晶圆厂,分别位于台湾与新加坡,2020年平均月产能24万片8吋晶圆。2021年,更扩大资本资出投入85亿元,用以扩充产能与新制程的研发,进一步强化制程技术与高附加价值的服务。
为了布局未来成长动能,世界先进也看好第3类半导体应用于电动车、绿能、5G基地台、雷达与快速充电技术等领域的潜能,积极投入研究氮化镓(GaN)芯片制程技术平台,扩展客户版图。
根据研调机构TrendForce调查,2021年随着各国于5G通讯、消费性电子、工业能源转换及新能源车等需求拉升,驱使如基地台、能源转换器(Converter)及充电桩等应用需求大增,同步使得第3类半导体氮化镓及碳化硅(SiC)元件及模组需求强劲。其中,以氮化镓功率元件成长幅度最高,预估2021年营收将达8,300万美元,年增率高达73%。
早在2018年,世界先进就已经宣布朝量产氮化镓芯片的目标努力;然而,根据官方最新公布的进度,最快要等到2022年才会有客户的产品问世,显示量产需克服的问题难度不小。而世界先进在氮化镓量产时间的推迟,主要是走了不一样的路。
有别于同业采用昂贵且良率不高的碳化硅基板,供应多被Wolfspeed(前身为Cree)、贰陆(II-IV)和罗姆半导体(ROHM)等国际大厂垄断,世界先进选择与美国设备材料厂Kyma及其转投资的氮化镓硅基板厂Qromis合作,开发出Qromis 基板技术(简称QST)。
「因为不想做『Me Too』(与其他同业一样)的东西,所以必须花更久的时间做出差异化方案。」世界先进事长方略表示。QST基板相较业界以硅(Si)作为基板,具有与氮化镓磊晶层更紧密匹配的热膨胀系数(CTE),在制程中堆叠氮化镓的同时,也能降低翘曲(warpage)破片,更有利于晶圆代工厂实现量产。
有了这个被方略称为「工程基板」的QST基板材料,在目前以6吋晶圆为主流的第3类半导体市场中,世界先进将能生产出罕见的8吋氮化镓晶圆。如果又能与公司既有的8吋机台设备、管理与开发相互配合使用,如期在2022年量产基于QST基板的氮化镓元件,更将在全球居于先行者的地位。
进一步而言,氮化镓材料特性适用于生产高功率密度的电子元件,通常业界会以1,200V(伏特)作为界线,超过这个电压就会使用氮化镓以外的材料。过去以硅为基板,依业界标准是无法支援650V以上电压的转换门槛,而QST基板可解决这个问题,且成本比碳化硅基板便宜,可提供高铁、电动车等高功率应用。
截至目前,世界先进在氮化镓的发展逐渐接近量产阶段,已有客户进行原型设计与送交制造(Tape-out),目标在2021年底完成所有程序设计(ProcessDesign)。顺利的话,2022年上半年就会有产品面世,届时将是台湾主要量产8吋氮化镓晶圆的业者之一。
相比于6吋晶圆,8吋晶圆意味着可以利用更大晶圆尺寸,圆角内能切割的面积愈多、减少制程中原料的浪费。同时,每块氮化镓晶圆也能生产更多芯片,8吋比6吋增加日产量一倍以上,能降低芯片单位成本。
尽管氮化镓的生产制造设备与硅制程差异不大,但是在产制过程中,还是面临不少挑战,包括材料的稳定性、材料与基板的相容度,以及晶圆内的原子结晶混和匹配(Mix Match)等,这些难题都还有待更多研究测试与验证来解决。
对世界先进来说,虽然在全球半导体产值中,第3类半导体的贡献还不到1%,但考量到市场前景大好,仍将积极掌握氮化镓前后段制程,以期在未来新兴应用市场扮演关键角色。
方略还强调,即使再过5年,第3类半导体产值也未必超过(半导体整体市值的)1%,但是新材料(碳化硅、氮化镓)衍生的商机,将突破硅材料无法做到的领域,将是值得探索的崭新世界。
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