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2024展会时间
2024-11月6日至11月8日
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深圳国际电子展: 英特尔的Intel 4能对标台积电的4nm吗?

来源:电子发烧友原创作者: 浏览: 发表时间:2022-06-15 14:29:16

关键字: 深圳国际电子展 英特尔 台积电 光刻机

其实早在一个月前,英特尔的Intel4工艺的情报就被陆续爆料出来了,只不过近日在VLSI22论坛上,其详细情报终于解禁,我们也得以看看英特尔版的7nm(Intel4),是否能够对标台积电的4nm,还是说像英特尔官方宣称的那样,2024年以后才会夺回半导体制造霸主的地位?

英特尔版的7nm水平如何?

我们先来看看PPA上的表现,英特尔给出了Intel7与Intel4在高性能单元库上的物理参数(见下图)对比,以英特尔惯用的密度计算方式来看,也就是标准单元高度乘以CPP,Intel4相较Intel7实现了两倍的提升。

 
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Intel4高性能库的密度提升 /英特尔

同时在频率上,相较用于AlderLake的Intel7工艺,Intel4提供8VT的选项(4N+4P),在同等功耗下,芯片频率可以做到高出20%以上。当然了,这个频率提升范围是在2GHz到3GHz的低频范围内,3GHz以上的频率提升大约在10%左右,这也是为何Intel4主要用于Meteor Lake-P这一笔记本CPU平台,至于桌面平台的高频CPU多半不会使用这一工艺。

英特尔从去年开始就在大量采购来自ASML的EUV光刻机,其采购频率和规模差不多与台积电相近了。我们都知道EUV光刻机是当下突破摩尔定律的最大功臣之一,但EUV光刻机也为晶圆厂带来了一些额外的福利,比如英特尔就表示,通过使用EUV光刻机,Intel4简化了工序。

 
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DUV光刻机与EUV的工序对比 / ASML

每一代工艺突破,比如从16nm到10nm,从10nm到7nm,掩模数量都是在增加的。以台积电为例,14nm和16nm的掩模数量大约为60个,10nm大约为78个,7nm就到了87个,这个趋势下去,5nm的掩模数量肯定会破百,但台积电的5nm在EUV光刻机的帮助下,通过单个EUV掩模替换为多个光学掩模,将掩模数量做到了81个。而英特尔这边得到的结果更加喜人,在首次引入EUV光刻机后,Intel4的掩模数量相较Intel7减少了20%,如此一来也将总工序减少了5%。除此之外,Intel4也与现有的先进封装技术兼容,比如EMIB和FOVEROS。

只是Intel3的过渡?

目前已知享受Intel4工艺的似乎只有Meteor Lake这一移动CPU平台,而原定为Intel4的GraniteRapids被移去了Intel3,Sierra Forest也将维持使用Intel3工艺。以此来看,虽然通过EUV光刻机的在制造工艺内的大量使用,为Intel4提供了不错的PPA表现,但其本身还是一个过渡工艺。

虽然有了高性能库,但却缺少了高密度的单元。比如台积电的7nm节点,就根据单元高度的不同,提供HD和HP这两个高密度和高性能的版本。高密度往往意味着更低的功耗,这也是手机SoC和高能效服务器处理器主要选择的单元库。

 
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Meteor Lake / 英特尔

这是因为英特尔并没有在这一工艺节点上提供完全的库或IP,在Meteor Lake上,英特尔只要提供高性能的小芯片CPU即可,而图形GFX部分有可能来自台积电,SoC和IO部分则不会使用Intel4这一工艺节点。

结语

英特尔的半导体工艺在更名前,向来都是隔代对标竞品的,在更名后Intel4自然对标的也成了台积电和三星的4nm工艺。从已知的参数来看,三星4nm低于150MTr/mm2的晶体管密度自然是比不了英特尔和台积电的,而Intel4只有高性能库,所以单纯对比晶体管密度的话会有些吃亏,大概在160MTr/mm2左右,还是不如台积电4nm的178MTr/mm2。

所以只有未来的Intel3或许能够达到与台积电N3持平的地步,要谈超越的话,就得等到Intel20A工艺了。这倒不是说Intel4这个过渡工艺毫无可圈可点之处,至少在性能和能耗比上有着可观的提升,目前移动端处理器明显才是英特尔CCG业务的销售量大头,所以Intel4明显是用来走量的,Intel3才是用来和别家打的。(文/周凯扬)

 
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深圳电子元器件及物料采购展览会将于2022年10月12-14日在深圳国际会展中心(宝安新馆)隆重开幕,期待您的参与。


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时间
2024年11月06日-2024年11月08日
地点
深圳国际会展中心(宝安新馆)
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承办单位
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