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深圳国际电子展：三星电子GAA制程工艺节点芯片开始初步生产

来源：三星半导体和显示官方作者：浏览：发表时间：2022-06-30 16:38:20

2022年6月30日，作为先进的半导体技术厂商之一的三星电子今日宣布，基于3nm全环绕栅极（Gate-All-AroundT，简称 GAA）制程工艺节点的芯片已经开始初步生产。

三星电子首次实现GAA“多桥-通道场效应晶体管”（简称： MBCFET™ Multi-Bridge-Channel FET）应用打破了FinFET技术的性能限制，通过降低工作电压水平来提高能耗比，同时还通过增加驱动电流增强芯片性能。

三星首先将纳米片晶体管应用于高性能、低功耗计算领域的半导体芯片，并计划将其扩大至移动处理器领域。

三星电子Foundry业务部总经理崔时荣表示：

一直以来，三星电子不断将新一代工艺技术应用于生产制造中。例如：三星的第一个High-K Metal Gate （HKMG）工艺、FinFET 以及 EUV等。三星希望通过率先采用3nm工艺的‘多桥-通道场效应晶体管’（ MBCFET™），将继续保持半导体行业前沿地位。同时，三星将继续在竞争性技术开发方面积极创新，并建立有助于加速实现技术成熟的流程。

技术设计优化，使PPA¹收益更大化

3nm GAA技术采用了更宽通的纳米片，与采用窄通道纳米线的GAA技术相比能提供更高的性能和能耗比。3nm GAA技术上，三星能够调整纳米晶体管的通道宽度，优化功耗和性能，从而能够满足客户的多元需求。

此外，GAA的设计灵活性对设计技术协同优化（DTCO）²非常有利，有助于实现更好的PPA优势。与三星5nm工艺相比，第一代3nm工艺可以使功耗降低45%，性能提升23%，芯片面积减少16%；而未来第二代3nm工艺则使功耗降低50%，性能提升30%，芯片面积减少 35%。

与SAFE™合作伙伴一起，提供3nm设计基础设施和服务

随着工艺节点变得越来越小，而芯片性能需求越来越高，IC设计师们需要面对处理海量数据，以及验证功能更多、扩展更紧密的复杂产品的挑战。为了满足这些需求，三星致力于提供更稳定的设计环境，以帮助减少设计、验证和批准过程所需的时间，同时也提高了产品的可靠性。

自2021年第三季度以来，三星电子一直通过与包括ANSYS、楷登电子、西门子和新思科技在内的三星先进晶圆代工生态系统SAFE™（Samsung Advanced Foundry Ecosystem）合作伙伴的紧密协作，提供成熟的设计基础设施，使其能够在更短的时间内完善其产品。

深圳电子元器件及物料采购展览会是深圳国际电子展中专注于全面展示电子产品设计生产所需的各类电子元器件及物料产品的商业展览，是为来自各类电子产品生产加工企业的专业采购人员所打造的元器件及物料采购平台的深圳国际电子展。

深圳电子元器件及物料采购展览会是立足硬件之都、创业之都： 5G/6G、无人机、机器人、智能穿戴、智能硬件……；全面覆盖华南优势产业应用：物联网、AI、工业、新能源、消费电子、家电、手机、通信、照明、安防等；全面展示从电子到制造，行业应用解决方案的深圳国际电子展展览会。

深圳电子元器件及物料采购展览会将于2022年10月12-14日在深圳国际会展中心（宝安新馆）隆重开幕，期待您的参与。

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深圳国际电子展： 三星电子GAA制程工艺节点芯片开始初步生产

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