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深圳电子展：功率半导体的发展路径？

来源：网络作者：浏览：发表时间：2022-09-20 09:38:11

在功率半导体的发展路径中，功率半导体从结构、制程、技术、工艺、集成化、材料等各方面进行了全面提升，其演进的主要方向为更高的功率密度，更小的体积，更低的功耗及损耗。

在结构更改方面，从晶闸管到IGBT，功率半导体的器件结构进行了显著的升级和更改，IGBT结构与MOSFET结构就有较大的变化；

在制程缩小方面，功率半导体的线宽制程从最初的10μm缩小至如今的0.15-0.35μm；

在技术变化和工艺进步方面，超薄圆片结构、背面扩散技术、超级结技术等的优化都使产品更加适应小功率市场，具备更出色的性能和易用性；

在集成调整方面，成功推出功率模块，即将多个功率器件进行封装，使其可以在更高频率工作的同时，能够拥有更小的设备体积和重量；

在材料迭代方面，从Si材料逐渐向GaN、SiC等宽禁带材料升级，使得功率器件体积和性能均有显著提升。

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