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中国电子展：AI加速存储芯片反转 HBM芯片崛起

来源：网络整理作者：浏览：发表时间：2023-07-13 17:15:21

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HBM（High Bandwidth Memory）是一种创新的CPU/GPU内存芯片，它通过堆叠多个DDR芯片并与GPU封装在一起，实现了高容量和高位宽的DDR组合阵列。

根据业内专家的观点，预计2023年第二至第三季度将是存储芯片产业链库存周期的低谷，预计2024年第一季度将迎来业绩大幅增长。人工智能的快速发展也加速了存储芯片反转周期的到来。

根据了解，2023年第二季度DRAM的总库存消耗时间约为6个月，市场正缓慢减少库存。根据存储芯片厂商的减产计划和需求回暖情况，预计2023年第三或第四季度DRAM的库存量将接近正常水平。

据称，HBM芯片有望成为人工智能时代的热门产品，吸引了各大厂商的关注，价格一路上涨。

NVIDIA、AMD、微软、亚马逊等企业都正在竞购SK海力士的第五代高带宽内存HBM3E。HBM3E是最新一代的HBM3产品。

HBM是当前数据处理速度最快的DRAM产品，在许多高端AI芯片中，如NVIDIA、AMD和Intel的选择中都采用HBM。根据TrendForce的研究数据，预计2023年全球对HBM的需求量将增长近60%，达到2.9亿GB；预计2024年再增长30%；到2025年，HBM整体市场有望超过20亿美元。

目前，全球HBM市场主要被三星、SK海力士和美光这三家存储芯片巨头垄断。其中，SK海力士处于领先地位，是目前唯一实现HBM3量产的厂商，其HBM市场份额高达50%，而三星和美光分别占有38%和9%的市场份额。

随着HBM需求的激增，三星、SK海力士和美光等存储芯片巨头正在转移更多产能用于生产HBM。然而，调整产能需要时间，因此增加HBM的产量并不容易。预计未来两年HBM的供应将相对紧张。

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