多款产品通过车规认证，国产SiC MOSFET加速上车电子物料展|汽车电子展|电子元器件展会-行业资讯-深圳电子元器件及物料采购展览会

发烧友网报道（文/梁浩斌）在过去的2023年，国产SiC功率器件产品迎来了全面爆发，众多厂商宣布入局或是推出车规级SiC MOSFET产品，寻求打进汽车供应链。而今年春节后的新一轮新能源汽车降价潮，令800V平台、SiC电驱开始打进20万内的市场，SiC也进一步能够加速在市场上普及。

最近两家国内厂商又有多款SiC MOSFET产品通过了车规级认证，这将继续推动SiC功率器件量产上车。

瞻芯电子

瞻芯电子3月8日宣布，由公司开发的三款第二代650V SiC MOSFET产品通过了严格的AEC-Q101车规级可靠性认证。

据介绍，瞻芯电子第二代SiC MOSFET产品与工艺平台是依托浙江瞻芯电子SiC晶圆厂开发的，自2023年9月份发布第一款第二代SiC MOSFET产品以来，至今已有十几款采用同代技术平台的量产产品。瞻芯电子第二代SiC MOSFET产品，对比上一代产品，通过优化栅氧化层工艺和沟道设计，让器件的比导通电阻降低约25%，能进一步降低器件损耗，提升系统效率。

这次瞻芯电子推出的三款产品，导通电阻分别为25mΩ，40mΩ和60mΩ，且采用TO247-4封装，可耐受-55°C ～175°C工作温度，同时因TO247-4封装具有开尔文源极引脚，而能显著减小栅极驱动电压尖峰。主要适用于电机驱动、光伏逆变器、车载DC-DC、OBC、开关电源等应用。

蓉矽半导体

蓉矽半导体自主研发的1200V 40mΩ SiC MOSFET NC1M120C40HT近日顺利通过AEC-Q101车规级测试和HV-H3TRB加严可靠性考核，同时通过了新能源行业头部厂商的导入测试并量产交付。

这款SiC MOSFET电压等级为1200V，在AEC-Q101标准中对H3TRB项目的反偏电压要求通常为100V，而HV-H3TRB考核则需将考核电压提高到960V，蓉矽SiC MOSFET在此次考核中顺利通过了HV-H3TRB可靠性验证，同时对于应用端特别关注的栅氧可靠性问题，蓉矽的产品通过了VGS=+22V/-8V的严苛HTGB考核，表明器件在在更为极端的应用场景中，也有优秀的稳定性和可靠性，可满足新能源汽车、光伏逆变等领域对功率器件的高质量和车规级可靠性要求。

小结：

2024年新能源汽车的竞争进入白热化阶段，国产SiC器件的入局，可能会令SiC更快地普及到更多的电动汽车上。

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