深圳电子元器件及物料采购展览会
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英飞凌和松下携手加速650V GaN功率器件的GaN技术开发
对于许多设计来说，氮化镓（GaN）比硅具有根本的优势。与硅MOSFET相比，氮化镓HEMT具有出色的特定动态导通电阻和更小的电容，因此更适于做高速开关。由此带来的能耗节省和系统总成本降低、可以在更高频率、更高的功率密度和整体系统效率下工作，使GaN成为对设计工程师非常有吸引力的选择。
英飞凌电源和传感器系统事业部总裁Andreas Urschitz表示：“除了与第1代相同的高可靠性标准外，由于转向8英寸晶圆制造，下一代客户将因晶体管更易控制以及显著改善的成本定位而受益。如同双方联合开发的第一代器件（即英飞凌的CoolGaN?和松下的X-GaN?），第二代器件将基于常闭型硅基氮化镓晶体管结构，再结合混合型漏极嵌入式栅极注入晶体管（HD-GIT）结构无可比拟的稳健性，使这些组件成为市场上的首选产品和最长期可靠的解决方案之一。”
松下电器工业解决方案公司工程部副主任TetsuzoUedai表示：“我们很高兴能扩大与英飞凌在氮化镓组件方面的伙伴关系和合作。在这种联合方式下，我们将能够以最新的创新发展为基础，提供高品质的第一代和第二代器件。”
供货情况
全新650V GaN Gen2器件计划于2023年上半年上市。
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时间
2024年11月06日-2024年11月08日
地点
深圳国际会展中心(宝安新馆)
主办单位
深圳市电子商会
励展博览集团
承办单位
溢辉源展览（深圳）有限公司
支持及承办单位
深圳电子商会元器件专委会
深圳电子商会压电晶体专委会
深圳电子商会智能制造专委会
深圳电子商会龙华、天安、沙井分会
工控兄弟连
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